光刻機
來源： | 發(fā)布時間：2021-10-30 |
什么是光刻機
光刻機(紫外曝光機)（Mask Aligner) 又被稱為：掩模對準曝光機，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.
一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時“復(fù)制”到硅片上的過程。
光刻機用途
主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。 由于本機找平機構(gòu)先進，找平力小、使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。
光刻機分類
光刻機一般根據(jù)操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動。
A 手動：指的是對準的調(diào)節(jié)方式，是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；
B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據(jù)CCD的進行定位調(diào)諧；
C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循環(huán)都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要，恩科優(yōu)的NXQ8000系列可以一個小時處理幾百片wafer。
單面光刻機主要技術(shù)指標
1、適用于4″、3″、2″基片，基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相對應(yīng)的版夾盤，□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、調(diào)密著真空度，能實現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光。
4、采用鷹眼曝光頭，光的不均勻性≤±3%，曝光時間0～9999.9秒可調(diào)。
5、具有預(yù)定位靠尺：利用基片切邊進行定位，定位精度≤1微米 。
6、具有雙工作承片臺，利用曝光時間，進行卸片、上片工作。
雙面光刻機主要技術(shù)指標
雙面對準，單面曝光（適用于6″、5″、4″、3″、2″基片）
雙面對準，雙面曝光（適用于6″、5″、4″、3″、2″基片）
1、適用于6″、5″、4″、3″、2″基片，基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相對應(yīng)的版夾盤，，□7″×7″、□6″×6″/□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、調(diào)密著真空度，能實現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光。
4、采用鷹眼曝光頭，光的不均勻性≤±3%，曝光時間0～9999.9秒可調(diào)。
5、具有預(yù)定位靠尺：利用基片切邊進行定位，定位精度≤1微米 。
6、具有雙工作承片臺，利用曝光時間，進行卸片、上片工作。
光刻機紫外光源
曝光系統(tǒng)最核心的部件之一是紫外光源。
常見光源分為:
紫外光（UV），g線：436nm;i線：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm
極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
對光源系統(tǒng)的要求
a.有適當(dāng)?shù)牟ㄩL。波長越短，可曝光的特征尺寸就越?。籟波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因為衍射現(xiàn)象會更嚴重。]b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經(jīng)過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。
曝光系統(tǒng)的功能主要有：平滑衍射效應(yīng)、實現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實現(xiàn)強光照明和光強調(diào)節(jié)等。
光刻機生產(chǎn)廠家供應(yīng)信息
廠家名稱：成都新德南光機械設(shè)備有限公司.
廠家地址：四川省成都市武侯區(qū)逸都路29號.
廠家聯(lián)系人：文寬.
廠家聯(lián)系電話：13540650355。
該廠家位于四川成都，多地有駐外辦事處，可面向全國各個企業(yè)提供光刻機相關(guān)產(chǎn)品的定制和維修。
m, ArF 準分子激光：193 nm
極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
對光源系統(tǒng)的要求
a.有適當(dāng)?shù)牟ㄩL。波長越短，可曝光的特征尺寸就越??；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因為衍射現(xiàn)象會更嚴重。]b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經(jīng)過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。
曝光系統(tǒng)的功能主要有：平滑衍射效應(yīng)、實現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實現(xiàn)強光照明和光強調(diào)節(jié)等。
光刻機生產(chǎn)廠家供應(yīng)信息
廠家名稱：成都新德南光機械設(shè)備有限公司.
廠家地址：四川省成都市武侯區(qū)逸都路29號.
廠家聯(lián)系人：文寬.
廠家聯(lián)系電話：13540650355。
該廠家位于四川成都，多地有駐外辦事處，可面向全國各個企業(yè)提供光刻機相關(guān)產(chǎn)品的定制和維修。
